參數(shù)資料
型號： GP1S56TJ000F
廠商： Sharp Microelectronics
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 152K
描述： SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU
產(chǎn)品變化通告： Internal Chip Change 04/May/2007
標準包裝： 100
檢測距離： 0.079"（2mm）
檢測方法： 可傳導(dǎo)的
輸出配置： 光電晶體管
電流 - DC 正向(If)： 50mA
電流 - 集電極 (Ic)（最大）： 20mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）： 35V
響應(yīng)時間： 38µs，48µs
安裝類型： 通孔
封裝/外殼： PCB 安裝
包裝： 管件
類型： 無放大
工作溫度： -25°C ~ 85°C
產(chǎn)品目錄頁面： 2776 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： 425-1974-5
4
Sheet No.: D2-A02701EN
GP1S56TJ000F
?SPAN class="pst GP1S56TJ000F_2587076_4">Absolute Maximum Ratings
?SPAN class="pst GP1S56TJ000F_2587076_4">Electro-optical Characteristics
(T
a
=
25贑)
Parameter
Symbol  Rating   Unit
Input

1
Forward current
I
F
50    mA
2
Peak forward current
I
FM
1
A
Reverse voltage
V
R
6
V
Power dissipation
P
75    mW
Output
Collector-emitter voltage    V
CEO
35
V
Emitter-collector voltage    V
ECO
6
V
Collector current
I
C
20    mA

1
Collector power dissipation   P
C
75    mW
Operating temperature
T
opr
25 to +85   贑
Storage temperature
T
stg  
40 to
+
100  贑

3
Soldering temperature
T
sol
260    贑

1 Refer to Fig. 1, 2, 3

2 Pulse width d 100
?/DIV>
s, Duty ratio
=
0.01

3 For 5s or less
(T
a
=
25贑)
Parameter
Symbol
Condition
MIN.  TYP.  MAX.  Unit
Input
Forward voltage
V
F
I
F
=20mA
   1.2   1.4   V
Peak forward voltage
V
FM
I
FM
=
0.5A
3    4    V
Reverse current
I
R
V
R
=3V
        10   糀
Output Collector dark current
I
CEO
V
CE
=20V
    1   100   nA
Transfer
charac-
teristics
Collector current
I
C
V
CE=
5V, I
F=
20mA
0.4
    
mA
Collector-emitter saturation voltage  V
CE(sat)
I
F
=40mA, I
C
=0.25mA
       0.4   V
Response time
Rise time
t
r
V
CE=
2V, I
C=
0.5mA, R
L=
1k
?/DIV>

38   90
?/DIV>
s
Fall time
t
f
    48   110
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PDF描述
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GP1S59J0000F 功能描述:光學(xué)開關(guān)（透射型，光電晶體管輸出） Photointerrupter Trans Hi res RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風(fēng)格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝:
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