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參數(shù)資料
| 型號： | GP1S52VJ000F |
| 廠商： | Sharp Microelectronics |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 151K |
| 描述： | SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 100 |
| 檢測距離： | 0.118"（3mm） |
| 檢測方法： | 可傳導(dǎo)的 |
| 輸出配置： | 光電晶體管 |
| 電流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）： | 20mA |
| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）： | 35V |
| 響應(yīng)時間： | 3µs，4µs |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | PCB 安裝 |
| 包裝： | 管件 |
| 類型： | 無放大 |
| 工作溫度： | -25°C ~ 85°C |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 2776 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | 425-1971-5 |
8
Sheet No.: D3-A02501EN
GP1S52VJ000F
?SPAN class="pst GP1S52VJ000F_2587083_4">Design Considerations
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Design guide
1) Prevention of detection error
To prevent photointerrupter from faulty operation caused by external light, do not set the detecting face to
the external light.
2) Position of opaque board
Opaque board shall be installed at place 4mm or more from the top of elements.
(Example)
This product is not designed against irradiation and incorporates non-coherent IRED.
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Degradation
In general, the emission of the IRED used in photocouplers will degrade over time.
In the case of long term operation, please take the general IRED degradation (50% degradation over 5
years) into the design consideration.
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Parts
This product is assembled using the below parts.
" Photodetector (qty. : 1)
Category
Material
Maximum Sensitivity
wavelength (nm)
Sensitivity
wavelength (nm)
Response time (約)
Phototransistor Silicon (Si)
800
400 to 1 200
3
" Photo emitter (qty. : 1)
Category
Material
Maximum light emitting
wavelength (nm)
I/O Frequency (MHz)
Infrared emitting diode
(non-coherent)
Gallium arsenide (GaAs)
950
0.3
" Material
Case
Lead frame plating
Black NORYL resin Solder dip. (Sn3Ag0.5Cu)
4mm or more
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GP1S53VJ000F | SENSOR OPTO SLOT 5MM TRANS THRU |
| GP1S560J000F | SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU |
| GP1S56TJ000F | SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU |
| GP1S58VJ000F | SENSOR OPTO SLOT 5MM TRANS THRU |
| GP1S59J0000F | SENSR OPTO SLOT 4.2MM TRANS THRU |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GP1S53 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| GP1S53V | 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB RoHS:否 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 檢測距離:0.063"（1.6mm） 檢測方法:可傳導(dǎo)的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:35V 響應(yīng)時間:35µs，35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5 |
| GP1S53VJ000F | 功能描述:光學(xué)開關(guān)（透射型，光電晶體管輸出） Photointerrupter Hi res RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風(fēng)格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
| GP1S54 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE |
| GP1S55 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:Compact, High Sensing Accuracy Narrow Gap Type Photointerrupter |
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