參數(shù)資料
型號(hào): GP1S097HCZ0F
廠商: Sharp Microelectronics
文件頁數(shù): 3/9頁
文件大?。?/td> 133K
描述: SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU
產(chǎn)品變化通告: Internal Chip Change 04/May/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 100
檢測(cè)距離: 0.079"(2mm)
檢測(cè)方法: 可傳導(dǎo)的
輸出配置: 光電晶體管
電流 - DC 正向(If): 50mA
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 20mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大): 35V
響應(yīng)時(shí)間: 50µs,50µs
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: PCB 安裝
包裝: 管件
類型: 無放大
工作溫度: -25°C ~ 85°C
產(chǎn)品目錄頁面: 2776 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: 425-1966-5
3
Sheet No.: D3-A01201EN
GP1S097HCZ0F
?SPAN class="pst GP1S097HCZ0F_2586155_4">Absolute Maximum Ratings
?SPAN class="pst GP1S097HCZ0F_2586155_4">Electro-optical Characteristics
(T
a
=
25贑)
Parameter
Symbol  Rating   Unit
Input
Forward current
I
F
50    mA
Reverse voltage
V
R
6
V
Power dissipation
P
75    mW
Output
Collector-emitter voltage
V
CEO
35
V
Emitter-collector voltage
V
ECO
6
V
Collector current
I
C
20    mA
Collector power dissipation    P
C
75    mW
Total power dissipation
P
tot
100    mW
Operating temperature
T
opr
25 to +85   贑
Storage temperature
T
stg  
40 to
+
100  贑

1
Soldering temperature
T
sol
260    贑

1 For 5s or less
(T
a
=
25贑 )
Parameter
Symbol
Condition
MIN.  TYP.  MAX.  Unit
Input
Forward voltage
V
F
I
F
=20mA
   1.2   1.4   V
Reverse current
I
R
V
R
=
3V
    
10
?/DIV>
A
Output Collector dark current
I
CEO
V
CE
=20V
       100   nA
Transfer
charac-
teristics
Collector current
I
C
V
CE
=5V, I
F
=5mA
100      400   糀
Collector-emitter saturation voltage    V
CE(sat)
I
F=
10mA, I
C=
40
?/DIV>
A
    
0.4   V
Response time
Rise time   t
r
V
CE
=5V, I
C
=100糀, R
L
=1k?/DIV>
    50   150   約
Fall time   t
f

50   150
?/DIV>
s
1mm or more
Soldering area
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GP1S196HCZ0F SENSR OPTO SLOT 1.1MM TRANS THRU
GP1S51VJ000F SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU
GP1S52VJ000F SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU
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參數(shù)描述
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