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參數(shù)資料
| 型號： | GN1010 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | GaAs N-Channel MES IC |
| 中文描述： | L BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| 封裝： | MINII4-G2, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | GN1010 |
I
Electrical Characteristics
(Ta = 25C)
GaAs MMICs
GN1010
GN1010
GaAs N-Channel MES IC
For high-output high-gain amplification
I
Features
G
General-use wide-band amplifier
G
Low noise
G
With bandwidth control pin
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25C)
Parameter
Power supply voltage
Drain current
Gate current
Allowable power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
D
T
ch
T
stg
Rating
6
– 4
45
3
200
150
– 55 to +150
Unit
V
V
mA
mA
mW
C
C
Parameter
Drain current
Noise figure
Power gain
I
dB
compression output
Symbol
I
DD * 1
NF
* 2
PG
* 2
P
O * 2
Condition
V
DS
= 3V
V
DS
= 3V, f= 0.5GHz
V
DS
= 3V, f=1.8GHz
V
DS
= 3V, f= 0.5GHz
V
DS
= 3V, f=1.8GHz
V
DS
= 3V, f= 0.5GHz
V
DS
= 3V, f=1.8GHz
Min
5
5
8
Typ
30
2
10
9
15
Max
45
3
Unit
mA
dB
dB
dBm
Unit : mm
* 1
I
DD
rank classification
1 : Source
2 : Drain
3 : C
4 : Gate
Mini Type Package (4-pin)
Rank
I
DD
(mA)
P
5 to 20
Q
15 to 30
R
25 to 45
* 2
NF, PG, P
O
test circuit
I
Equivalent Circuit
3
4
1
2
V
D
Cc
C = 1000 pF
Cc = 200 pF
Cf = 27 pF
Cc
Cf
C
C
G
S
2.8
+0.2
+0.2
1.5
0.65
±
0.15
0.65
±
0.15
0.5R
1
2
4
3
0
0
1
±
0
2
±
0
0
+
–
1
+
–
0
0.4
±
0.2
0
0
+
–
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GN1A3Q | MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR MINI MOLD |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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