型號(hào): | GMZJ9.1 |
廠商: | PanJit International Inc. |
元件分類: | 齊納二極管 |
英文描述: | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·¥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?£°???é???o3?o???????) |
中文描述: | 在250μA低電流操作,低反向漏,低噪聲穩(wěn)壓二極管(250μA工作電流,小反向漏電流,低噪聲,齊納二極管) |
文件頁數(shù): | 1/5頁 |
文件大?。?/td> | 168K |
代理商: | GMZJ9.1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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GN13 | GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON SURFACE MOUNT |
GN1A | GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON SURFACE MOUNT |
GN1B | GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON SURFACE MOUNT |
GN1D | GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON SURFACE MOUNT |
GN1G | GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON SURFACE MOUNT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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GN00120R00FB1280 | 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 1watt 20ohms 1% RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy |
GN00120R00FE1280 | 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 20ohms 1% 1watt RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy |
GN0012R000FB1253 | 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 1watt 2ohms 1% RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy |
GN00142R20AB1280 | 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 1watt 42.2ohms 0.05% RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy |
GN001536R0AB1280 | 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 1watt 536ohms 0.05% RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy |