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參數(shù)資料
| 型號： | GMZJ9.1 |
| 廠商： | Rectron Semiconductor |
| 英文描述： | Micro MELF ZENER DIODE 2.5% 500mW |
| 中文描述： | 微齊納二極管穩(wěn)壓二極管2.5％毫瓦 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 55K |
| 代理商： | GMZJ9.1 |
I
Z
I
F
V
R
(V)
I
R
(uA)
MAX
I
ZT
(mA)
Zzt(W)
MAX
Izk
(mA)
Zzk(W)
MAX
MIN
1.88
2.02
2.12
2.22
2.33
2.43
2.54
2.69
2.85
3.01
3.16
3.32
3.46
3.60
3.74
3.89
4.04
4.17
4.30
4.44
4.55
4.68
4.81
4.94
5.09
5.28
5.45
5.61
5.78
5.96
6.12
6.29
6.49
6.66
6.85
7.07
7.29
7.53
7.78
8.03
8.29
8.57
8.83
9.12
9.41
9.70
MAX
2.10
2.20
2.30
2.41
2.52
2.63
2.75
2.91
3.07
3.22
3.38
3.53
3.69
3.84
4.01
4.16
4.29
4.43
4.57
4.68
4.80
4.93
5.07
5.20
5.37
5.55
5.73
5.91
6.09
6.27
6.44
6.63
6.83
7.01
7.22
7.45
7.67
7.92
8.19
8.45
8.73
9.01
9.30
9.59
9.90
10.20
(mA) (mA)
MIN
MAX
A
B
A
B
A
B
A
B
A
B
A
B
A
B
A
B
A
B
C
A
B
C
A
B
C
A
B
C
A
B
C
A
B
C
A
B
C
A
B
C
A
B
C
A
B
C
TYPE
CLASS
V
Z
(V)
V
F
(V)
GMZ J 2.0
5
100
0.2
1.0
0.5
120
5
100
0.5
1000
GMZ J 2.2
5
100
0.2
1.0
0.7
100
5
100
0.5
1000
GMZ J 2.4
5
100
0.2
1.0
1.0
120
5
100
0.5
1000
GMZ J 2.7
5
100
0.2
1.0
1.0
100
5
110
0.5
1000
GMZ J 3.0
5
100
0.2
1.0
1.0
50
5
120
0.5
1000
GMZ J 3.3
5
100
0.2
1.0
1.0
20
5
120
0.5
1000
GMZ J 3.6
5
100
0.2
1.0
1.0
10
5
100
1
1000
GMZ J 3.9
5
100
0.2
1.0
1.0
5
5
100
1
1000
GMZ J 4.3
5
100
0.2
1.0
1.0
5
5
100
1
1000
GMZ J 4.7
5
100
0.2
1.0
1.0
5
5
90
1
900
GMZ J 5.1
5
100
0.2
1.0
1.5
5
5
80
1
800
GMZ J 5.6
5
100
0.2
1.0
2.5
5
5
60
1
500
GMZ J 6.2
5
100
0.2
1.0
3.0
5
5
60
1
300
GMZ J 6.8
5
100
0.2
1.0
3.5
2
5
20
0.5
150
GMZ J 7.5
5
100
0.2
1.0
4.0
0.5
5
20
0.5
120
GMZ J 8.2
5
100
0.2
1.0
5.0
0.5
5
20
0.5
120
GMZ J 9.1
5
100
0.2
1.0
6.0
0.5
5
25
0.5
120
GMZ J 10
5
100
0.2
1.0
7.0
0.2
5
30
0.5
120
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GMZJ | Micro MELF ZENER DIODE 2.5% 500mW |
| GMZJ10 | Micro MELF ZENER DIODE 2.5% 500mW |
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| GMZJ12 | Micro MELF ZENER DIODE 2.5% 500mW |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GN00120R00FB1280 | 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 1watt 20ohms 1% RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy |
| GN00120R00FE1280 | 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 20ohms 1% 1watt RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy |
| GN0012R000FB1253 | 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 1watt 2ohms 1% RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy |
| GN00142R20AB1280 | 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 1watt 42.2ohms 0.05% RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy |
| GN001536R0AB1280 | 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 1watt 536ohms 0.05% RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy |
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