參數(shù)資料
型號(hào): GMM77332280CTG-6
英文描述: x72 EDO Page Mode DRAM Module
中文描述: x72 EDO公司頁(yè)面模式內(nèi)存模塊
文件頁(yè)數(shù): 7/27頁(yè)
文件大?。?/td> 401K
代理商: GMM77332280CTG-6
LG Semicon
GMM77316380CTG-5/6
7
Wrtie Cycles
Read-Modify-Write Cycles
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
Refresh Cycles
Symbol
Max
Max
Min
Min
116
72
30
42
-
-
-
-
Unit Notes
§ à
§ à
§ à
§ à
t
CSR
Symbol
CAS Set-up Time
(CAS-before-RAS Refresh Cycle)
t
CHR
CAS Hold Time
(CAS-before-RAS Refresh Cycle)
WE setup Time
(CAS-before-RAS Refresh Cycle)
Parameter
Max
Max
Min
Min
5
-
Unit Notes
§ à
8
-
-
§ à
§ à
t
OEH
13
-
§ à
140
84
34
49
15
-
-
-
-
-
14
5
10
10
-
-
t
RPC
RAS Precharge to CAS Hold Time
5
-
§ à
5
-
-
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
Symbol
Write Command Set-up Time
Write Command Hold Time
Write Command Pulse Width
Write Command to RAS Lead Time
Write Command to CAS Lead Time
Data-in Set-up Time
Data-in Hold Time
Parameter
Max
Max
Min
Min
0
8
8
8
0
13
-
-
-
-
-
-
Unit Notes
§ à
§ à
§ à
§ à
§ à
§ à
§ à
-
14
15
15
0
10
10
10
0
15
-
-
-
-
-
-
-
Read-Modify-Write Cycle Time
RAS to WE Delay Time
CAS to WE Delay Time
Column Address to WE Delay Time
Parameter
OE Hold Time from WE
18
20
14
14
GMM77316380CTG-5
GMM77316380CTG-6
GMM77316380CTG-5 GMM77316380CTG-6
GMM77316380CTG-5 GMM77316380CTG-6
21
t
WRP
t
WRH
WE Hold Time
(CAS-before-RAS Refresh Cycle)
5
8
5
§ à
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GMM77332380CNTG 32Mx72|3.3V|5/6|x36|FP/EDO DRAM - 256MB Buffered DIMM
GMM77332380CNTG-5 x72 EDO Page Mode DRAM Module
GMM77332380CNTG-6 x72 EDO Page Mode DRAM Module
GMM77332380CTG-5 x72 EDO Page Mode DRAM Module
GMM77332380CTG-6 x72 EDO Page Mode DRAM Module
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參數(shù)描述
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