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參數(shù)資料
| 型號： | GMBT9013 |
| 廠商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | npn型外延晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 248K |
| 代理商： | GMBT9013 |
1/3
G
G M
M B
B T
T 99001133
N
N P
P N
N E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A LL T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GMBT9013 is designed for use in 1W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation.
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
2.70
3.10
G
1.90 REF.
B
2.40
2.80
H
1.00
1.30
C
1.40
1.60
K
0.10
0.20
D
0.35
0.50
J
0.40
-
E
0
0.10
L
0.85
1.15
F
0.45
0.55
M
0 C
10 C
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55 ~ +150
Collector to Base Voltage
VCBO
40
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
20
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
5
V
Collector Current
IC
500
mA
Total Power Dissipation
PD
225
mW
Characteristics at Ta = 25 ::::
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
40
-
V
IC=100uA , IE=0
BVCEO
20
-
V
IC=1mA, IB=0
BVEBO
5
-
V
IE=100uA, IC=0
ICBO
-
100
nA
VCE=25V, IE=0
IEBO
-
100
nA
VEB=3V, IC=0
VCE(sat)
-
0.6
V
IC=500mA, IB=50mA
VBE(sat)
-
1.2
V
IC=500mA, IB=50mA
VBE(on)
-
0.9
V
VCE=1V, IC=10mA
HFE1
112
180
300
VCE=1V, IC=50mA
HFE2
40
-
VCE=1V,IC=500mA
fT
100
-
MHz
VCE=1V, IC=10mA,f=100MHz
Cob
-
8
pF
VCB=10V, f=1MHz, IE=0
Classification Of hFE1
Rank
G
H
L
hFE
112-166
144-202
176-300
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GMBT9014 | PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GMBT9015 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GMBT9018 | NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GMBTA05 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| GMBTA13 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GMBT9014 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GMBT9015 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GMBT9018 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GMBTA05 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR |
| GMBTA06 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR |
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