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參數(shù)資料
| 型號： | GLT5640AL16L-6TC |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | TUBING, HEAT SHRINK, 0.187 ID UL224 BLK |
| 中文描述： | 4米× 16個CMOS同步動態(tài)隨機存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 23/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 2315K |
| 代理商： | GLT5640AL16L-6TC |
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G-LINK
GLT5640AL16
4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM
Feb 2004 (Rev.0.1)
G-Link Technology Corporation, Taiwan
Web : www.glink.com.tw Email : sales@glink.com.tw
TEL : 886-2-27968078
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9.3 Write to Read Command Interval
The write command to read command interval is also a minimum of 1 cycle. Only the write data before the read command will
be written. The data bus must be Hi-Z at least one cycle prior to the first DOUT.
WRITE to READ Command Interval
9.4 Read to Write Command Interval
During a read cycle, READ can be interrupted by WRITE.
DQM must be in High at least 3 clocks prior to the write command. There is a restriction to avoid a data conflict. The data bus
must be Hi-Z using DQM before Write.
Burst lengh=4
CLK
Command
CAS latency=2
DQ
Command
CAS latency=3
DQ
QB0
QB3
QB2
QB1
WRITE A
Write A
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
QB0
QB3
QB2
QB1
1 cycle
Read B
DA0
Read B
DA0
Hi-Z
Hi-Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLT5640AL16L-7TC | SHRINK TUBING, .093X..046IDX.020, BLK |
| GLT5640AL16L-8TC | HEAT SHRINK TUBING, 2.4MM POLYOLEFIN, BLACK |
| GLT5640AL16P-10TC | TUBING SHRINK BLK IRRAD-PFIN 1/16 ID |
| GLT5640AL16P-5.5TC | TBG H/SHRINK FP 1/16 BLK |
| GLT5640AL16P-6TC | TUBE, SHR, POL, 063/031, BLK, 017, 600V, 135C, (934872) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GLT5640AL16L-7TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16L-8TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16P-10TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16P-5.5TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16P-6TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
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