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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GLT5640AL16 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4米× 16個(gè)CMOS同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 59/72頁 |
| 文件大小： | 2315K |
| 代理商： | GLT5640AL16 |
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G-LINK
GLT5640AL16
4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM
Feb 2004 (Rev.0.1)
G-Link Technology Corporation, Taiwan
Web : www.glink.com.tw Email : sales@glink.com.tw
TEL : 886-2-27968078
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Auto Precharge after Write Burst (1 of 2)
*BA1=”L” , Bank C , D = Idle
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
tCK2
Burst Length=4, CAS Latency=2
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
QBa3
QBb0
QAa0 QAa1 QAa2QAa3 QBa0 QBa1
QBb1
Ra
Ra
Ra
QAb3
QAb0 QAb1
Write
Command
Bank A
Write with
Auto Precharge
Bank B
QBa2
QAb2
Auto Precharge
Bank A
Activate
Command
Bank B
Write with
Auto Precharge
Command
Bank B
Activate
Command
Bank B
QBb2 QBb3
Rb
Ra
Ca
Cb
Ca
Rb
Cb
Bank B
Start Auto
Start Auto
Bank B
High
Rc
Rc
Cc
QAc0 QAc1 QAc2 QAc3
Activate
Command
Bank A
Write with
Auto Precharge
Bank A
Start Auto
Precharge
Bank A
*BA0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLT5640AL16-10TC | 4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16-5.5TC | 4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16-6TC | 4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16-7TC | 4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16-8TC | 4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GLT5640AL16-10TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16-5.5TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16-6TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16-7TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16-8TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
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