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參數(shù)資料
| 型號： | GLT5640AL16-6TC |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4米× 16個CMOS同步動態(tài)隨機(jī)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 8/72頁 |
| 文件大小： | 2315K |
| 代理商： | GLT5640AL16-6TC |
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G-LINK
GLT5640AL16
4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM
Feb 2004 (Rev.0.1)
G-Link Technology Corporation, Taiwan
Web : www.glink.com.tw Email : sales@glink.com.tw
TEL : 886-2-27968078
- 8 -
Switching Characteristics (Ta = 0 ~ 70°C, V
DD
= V
DDQ
= 3.3
±
0.3V , V
SS
= V
SSQ
= 0V, unless otherwise noted)
Limits
-6
Min
6
8
2.5
2.5
1
1.5
1
60
60
18
42
18
12
12
2
5
5.5
-7
Parameter
Symbol
Min
5.5
-
2.3
2.3
1
1.5
1
55
55
16.5
38.5
16.5
11
11
2
5
Max
Max
Min
7
9
2.5
2.5
1
1.5
1
63
70
21
45
21
14
14
2
5
Max
Unit
Note
CLK cycle time
CL=3
CL=2
t
CK3
t
CK2
t
CH
t
CL
t
T
t
IS
t
IH
t
RC
t
RFC
t
RCD
t
RAS
t
RP
t
WR
t
RRD
t
RSC
t
DAL
t
REF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
ms
CLK high pulse width
CLK low pulse width
Transition time of CLK
Input Setup time
Input Hold time
Row Cycle Time
Refresh Cycle Time
Row to Column Delay
Row active time
Row Precharge time
Write Recovery time
Act to Delay time
Mode Register Set Cycle time
Data-in to ACTIVE command
Refresh Interval time
Note :
1.
t
IS
= t
CKS
(CKE setup time) , t
CMS
(Command setup time) , t
AS
(Address setup time) , t
DS
(Input data setup time).
2.
t
IH
= t
CKH
(CKE hold time) , t
CMH
(Command hold time) , t
AH
(Address hold time) , t
DH
(Input data hold time).
3.
t
WR
is so called t
DPL
.
10
10
10
1
2
100k
100k
100k
3
64
64
64
Switching Characteristics (Ta = 0 ~ 70°C, V
DD
= V
DDQ
= 3.3
±
0.3V , V
SS
= V
SSQ
= 0V, unless otherwise noted)
Limits
-6
Min
-5.5
-7
Unit
Note
Parameter
Symbol
Min
Max
5
6
Max
5
6
Min
Max
5.5
6
CL = 3
CL = 2
CL = 3
CL = 2
t
AC3
t
AC2
t
CH3
t
CH2
t
OLZ
ns
ns
ns
ns
ns
*1
*1
*1
*1
Access time from CLK
2
2
0
2.5
2.5
0
2.5
2.5
0
Output Hold time from CLK
Delay time , output low-impedance
from CLK
Delay time , output high-impedance
from LCK
Note :
1.
If clock rising time is longer than 1ns, (tr/2-0.5ns) should be added to the parameter.
t
OHZ
2
5
2.5
5
2.5
5.5
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLT5640AL16-7TC | 4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16-8TC | 4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16L-10TC | HEAT GUN 120VAC 1200W 10A |
| GLT5640AL16L-5.5TC | HEAT SHRINK TUBING 1/8 IN |
| GLT5640AL16L-6TC | TUBING, HEAT SHRINK, 0.187 ID UL224 BLK |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GLT5640AL16-7TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16-8TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16L-10TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16L-5.5TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16L-6TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
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