參數(shù)資料
型號(hào)： GB50XF120K
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： TRANSISTOR 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ECONO, SIXPACK-17, Insulated Gate BIP Transistor
中文描述： IGBT Modules 75 Amp 1200 Volt Non-Punch Through
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 307K
代理商： GB50XF120K
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
GB75DA120UP TRANSISTOR 131 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, Insulated Gate BIP Transistor
GBJ602 Single-phase Silicon Bridge Rectifier Reverse Voltage 50 to 1000 V Forward Current 6.0 A
GBJ603 Single-phase Silicon Bridge Rectifier Reverse Voltage 50 to 1000 V Forward Current 6.0 A
GBJ604 Single-phase Silicon Bridge Rectifier Reverse Voltage 50 to 1000 V Forward Current 6.0 A
GBJ606 Single-phase Silicon Bridge Rectifier Reverse Voltage 50 to 1000 V Forward Current 6.0 A
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GB50XF60K 功能描述:IGBT 模塊 80 Amp 600 Volt Non-Punch Through RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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