型號(hào): | GA200DD120U |
元件分類: | 開(kāi)關(guān) |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件頁(yè)數(shù): | 5/7頁(yè) |
文件大小: | 525K |
代理商: | GA200DD120U |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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G536A | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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GA200HS60S | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
GA200HS60S1 | 功能描述:IGBT 模塊 200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
GA200HS60S1PBF | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:IGBT Module N-CH 480A 600V INT-A-PAK |
GA200NS61U | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:High Side Switch Chopper Module Ultra-Fast Speed IGBT |
GA200SA60S | 功能描述:IGBT STD 600V 100A SOT227 RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |