參數(shù)資料
型號： GA200A
廠商： MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分類： 晶閘管
英文描述： SCRs Nanosecond Switching, Planar
中文描述： 0.314 A, 60 V, SCR, TO-18
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 99K
代理商： GA200A
GA200HS60S
Bulletin I27121 rev. B 07/02
4
www.irf.com
Fig. 5 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-
Emitter Voltage
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
0
4
8
12
16
0
300
600
900 1200 1500 1800
Vcc = 400V
Ic = 200A
Fig. 6 - Typical Switching Losses vs Gate
Resistance
S
R
G
, Gate Reistance (
)
Fig. 7 - Typical Switching Losses vs Collector-to-Emitter Current
S
I
C
, Collector-to-Emitter Current (A)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
40
80
120
160
200
Eon
Eoff
Tj = 125
C
Vce = 480V
Vge = 15V
Rge = 10
Free-wheeling diode:
30ETH06
10
20
30
40
50
60
70
80
0
10
20
30
40
50
Eoff
Eon
Tj = 25
C, Vce = 480V
Vge = 15V, Ic = 200A
free-wheeling diode: 30ETH06
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PDF描述
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