型號(hào): | GA1000DD60U |
元件分類: | 開(kāi)關(guān) |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件頁(yè)數(shù): | 1/7頁(yè) |
文件大?。?/td> | 525K |
代理商: | GA1000DD60U |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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GA100ABPL12 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 100A Phase Leg IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
GA100JT12-227 | 功能描述:TRANS SJT 1200V 160A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:結(jié)式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):160A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 100A 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):14400pF @ 800V 功率 - 最大值:535W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 |
GA100JT17-227 | 功能描述:TRANS SJT 1700V 160A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:結(jié)式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1700V(1.7kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):160A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 100A 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):14400pF @ 800V 功率 - 最大值:535W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 |