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GP1M009A090N

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • GP1M009A090N
    GP1M009A090N

    GP1M009A090N

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6625

  • GLOBAL PO

  • 管件

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • GP1M009A090N
    GP1M009A090N

    GP1M009A090N

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • GPTG

  • NA

  • 最新批號

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  • 1
GP1M009A090N PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
  • 制造商
  • global power technologies group
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 900V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 9.5A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 1.4 歐姆 @ 4.75A, 10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 65nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 2324pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 312W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-3P-3,SC-65-3
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-3PN
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
GP1M009A090N 技術(shù)參數(shù)
  • GP1M009A090FH 功能描述:MOSFET N-CH 900V 9A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):65nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2324pF @ 25V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M009A060H 功能描述:MOSFET N-CH 600V 9A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1 歐姆 @ 4.5A, 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1440pF @ 25V 功率 - 最大值:158W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M009A020FG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):414pF @ 25V 功率 - 最大值:17.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M008A080H 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1921pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M008A050HG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):850 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):937pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M012A060FH GP1M012A060H GP1M013A050FH GP1M013A050H GP1M015A050FH GP1M015A050H GP1M016A025CG GP1M016A025FG GP1M016A025HG GP1M016A025PG GP1M016A060F GP1M016A060FH GP1M016A060H GP1M016A060N GP1M018A020CG GP1M018A020FG GP1M018A020HG GP1M018A020PG
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