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GP1M023A050N

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
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  • 操作
  • GP1M023A050N
    GP1M023A050N

    GP1M023A050N

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 8820

  • GLOBAL PO

  • 管件

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • GP1M023A050N
    GP1M023A050N

    GP1M023A050N

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

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  • 865000

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  • 最新批號(hào)

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  • 1
GP1M023A050N PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
  • 制造商
  • global power technologies group
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類(lèi)型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 23A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 220 毫歐 @ 11.5A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
  • 66nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
  • 3391pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 347W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-3P-3,SC-65-3
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-3PN
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
GP1M023A050N 技術(shù)參數(shù)
  • GP1M020A050N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):54nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3094pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M018A020PG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A IPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):170 毫歐 @ 9A, 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):950pF @ 25V 功率 - 最大值:94W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M018A020HG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):170 毫歐 @ 9A, 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):950pF @ 25V 功率 - 最大值:94W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M016A060N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):470 毫歐 @ 8A, 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):53nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3039pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M016A060H 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):470 毫歐 @ 8A, 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):53nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3039pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1S097HCZ GP1S097HCZ0F GP1S173LCS2F GP1S194HCZ0F GP1S196HCPSF GP1S196HCZ0F GP1S196HCZSF GP1S25 GP1S25J0000F GP1S273LCS1F GP1S296HCPSF GP1S36 GP1S36J0000F GP1S39 GP1S396HCP0F GP1S396HCPSF GP1S39J0000F GP1S44S1
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