參數(shù)資料
型號： FZT757
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
中文描述： 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 90K
代理商： FZT757
SOT223 PNP SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 4 JANUARY 1996
FEATURES
*
Low saturation voltage
*
300V V
CEO
COMPLEMENTARY TYPE - FZT657
PARTMARKING DETAIL - FZT757
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-300
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-300
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-5
V
Peak Pulse Current
I
CM
-1
A
Continuous Collector Current
I
C
-0.5
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
2
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-300
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-300
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
-0.1
μ
A
V
CB
=-200V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
-0.1
μ
A
V
EB
=-3V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.5
V
I
C
=-100mA, I
B
=-10mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.0
V
I
C
=-100mA, I
B
=-10mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
-1.0
V
I
C
=-100mA, V
CE
=-5V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
40
50
I
C
=-10mA, V
CE
=-5V*
I
C
=-100mA, V
CE
=-5V*
Transition Frequency
f
T
30
MHz
I
=-10mA, V
CE
=-20V
f=20MHz
Output Capacitance
C
obo
20
pF
V
CB
=-20V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
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FZT757
C
C
E
B
3 - 240
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PDF描述
FZT758 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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