參數資料
型號: FZT660A
文件頁數: 1/12頁
文件大?。?/td> 169K
代理商: FZT660A
相關PDF資料
PDF描述
FZTA63 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-223
G0100RR Special Function Video Processor
G105 SIDAC|113V V(BO) MAX|200UA I(S)|DO-204AL
G120 SIDAC|125V V(BO) MAX|200UA I(S)|DO-204AL
G130 SIDAC|135V V(BO) MAX|200UA I(S)|DO-204AL
相關代理商/技術參數
參數描述
FZT688B 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-223 制造商:DIODES 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-223, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(b 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-223, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(b
FZT688B 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-223
FZT688BTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT688BTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT689 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR