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參數(shù)資料
| 型號： | FZT605TA |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 中文描述： | 1.5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 116K |
| 代理商： | FZT605TA |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZT689BTA | |
| FZT696BTA | |
| FZT705TA | |
| FZTA14TA | |
| G13D67.3 | 1 ELEMENT, 67.3 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FZT605TA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:FZT605 Series 120 V 1.5 A NPN SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-223 |
| FZT605TC | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FZT649 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT649 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-223 |
| FZT649_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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