參數(shù)資料
型號(hào)： FZT603
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR
中文描述： 2 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 122K
代理商： FZT603
SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM
POWER DARLINGTON TRANSISTOR
ISSUE 3 NOVEMBER 1995
FEATURES
*
2A continuous current
*
Useful h
FE
up to 6A
*
Fast Switching
PARTMARKING DETAIL DEVICE TYPE IN FULL
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
100
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
80
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
10
V
Peak Pulse Current
I
CM
6
A
Continuous Collector Current
I
C
2
A
Power Dissipation
P
tot
2
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
100
240
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
80
110
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
10
16
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
0.01
10
μ
A
μ
A
V
CB
=80V
V
CB
=80V,
T
amb
=100°C
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
0.1
μ
A
V
EB
=8V
Collector Cut-Off Current
I
CES
10
μ
A
V
CES
=80V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.79
0.80
0.88
0.99
0.86
0.88
0.90
1.00
1.13
V
V
V
V
V
I
C
=0.25A, I
=0.25mA*
I
C
=0.4A, I
=0.4mA*
I
C
=1A, I
B
=1mA*
I
C
=2A, I
B
=20mA*
I
C
=2A, I
B
=20mA
FZT603
C
C
E
B
T
j
=150°C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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