參數(shù)資料
型號(hào)： FZT558
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
中文描述： 0.2 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 110K
代理商： FZT558
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM
POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 2 DECEMBER 1995
FEATURES
*
400 Volt V
CEO
*
200mA continuous current
*
P
tot
= 2 Watt
PARTMARKING DETAIL -
FZT558
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-400
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-400
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-5
V
Continuous Collector Current
I
C
-200
mA
Power Dissipation
P
tot
2
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=-100
μ
A
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-400
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
BR(CEO)
-400
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE(sat)
-100
nA
V
CB
=-320V
V
CE
=-320V
V
EB
=-4V
I
C
=-20mA, I
B
=-2mA*
I
C
=-50mA, I
B
=-6mA*
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA*
Collector Cut-Off Current
-100
nA
Emitter Cut-Off Current
-100
nA
Collector-Emitter
Saturation Voltage
-0.2
-0.5
V
V
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-0.9
V
Base-Emitter
Turn On Voltage
V
BE(on)
-0.9
V
I
C
=-50mA, V
CE
=-10V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
100
100
15
300
I
C
=-1mA, V
CE
=-10V
I
C
=-50mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-100mA, V
CE
=-10V*
I
=-10mA, V
CE
=-20V
f=20MHz
Transition
Frequency
f
T
50
MHz
Collector-Base
Breakdown Voltage
C
obo
5
pF
V
CB
=-20V, f=1MHz
Switching times
t
on
t
off
95
1600
ns
ns
I
C
=-50mA, V
=-100V
I
B1
=5mA, I
B2
=-10mA
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
FZT558
C
C
E
B
3 - 192
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PDF描述
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參數(shù)描述
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