參數(shù)資料
型號： FZT2907A
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： SOT223 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR
中文描述： 進步黨的SOT223硅平面開關晶體管
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 39K
代理商： FZT2907A
SOT223 PNP SILICON PLANAR
SWITCHING TRANSISTOR
ISSUE 4 JUNE 1996
%
FEATURES
*
60 Volt V
CEO
*
Fast switching
PARTMARKING DETAIL
FZT2907 FZT2907
FZT2907A FZT2907A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
FMMT2907
FMMT2907A
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-60
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-40
-60
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-5
V
Continuous Collector Current
I
C
-600
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
1.5
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
FZT2907
FZT2907A
UNIT
CONDITIONS.
MIN.
MAX. MIN.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-40
-60
V
I
C
=-10
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-60
-60
V
I
C
=-10mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
-5
V
I
E
=-10
μ
A, I
C
=0
Collector-Emitter
Cut-Off Current
I
CEX
-50
-50
nA
V
CE
=-30V, V
BE
=-0.5V
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-20
-20
-10
-10
nA
μ
A
V
CB
=-50V, I
E
=0
V
CB
=-50V, I
E
=0, T
amb
=150°C
Base Cut-Off Current I
B
-50
-50
nA
V
CE
=-30V, V
BE
=-0.5V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.4
-1.6
-0.4
-1.6
V
V
I
C
=-150mA, I
B
=-15mA*
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.3
-2.6
-1.3
-2.6
V
V
I
C
=-150mA, I
B
=-15mA*
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
Static Forward
Current Transfer
Ratio
h
FE
35
50
75
100
30
300
75
100
100
100
50
300
I
C
=-0.1mA, V
=-10V
I
C
=-1mA, V
CE
=-10V
I
C
=-10mA, V
CE
=-10V
I
C
=-150mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-500mA, V
CE
=-10V*
Transition
Frequency
f
T
200
200
MHz
I
=-50mA, V
CE
=-20V
f=100MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300ms. Duty cycle
≤
2%
FZT2907
FZT2907A
C
C
E
B
3 - 298
相關PDF資料
PDF描述
FZT4403 SOT223 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR
G07VA Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:SP06; No. of Contacts:5; Connector Shell Size:14; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight
G01BA SUBMINATURE/MULTI-FUNCTION/UNBRACKETED
G01BB SUBMINATURE/MULTI-FUNCTION/UNBRACKETED
G01BC SUBMINATURE/MULTI-FUNCTION/UNBRACKETED
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FZT2907ATA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT2907ATC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT3019 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT3019_06 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier
FZT3019_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*