參數(shù)資料
型號(hào)： FZT2222A
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SOT223 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR
中文描述： 0.6 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 43K
代理商： FZT2222A
SOT223 NPN SILICON PLANAR
SWITCHING TRANSISTOR
ISSUE 3 - OCTOBER 1995
FEATURES
*
40 Volt V
CEO
*
Fast switching
COMPLEMENTARY TYPE -
PARTMARKING DETAIL -
FZT2907A
FZT2222A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
75
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
40
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
5
V
Continuous Collector Current
I
C
600
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
2
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to+150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
CONDITIONS.
MIN.
MAX.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
75
V
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
40
V
I
C
=10mA, I
B
=0 *
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
6
V
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off Current
I
CBO
10
10
nA
μ
A
V
CB
=50V, I
E
=0
V
CB
=50V, I
E
=0, T
amb
=150°C
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
10
nA
V
EB
=3V, I
C
=0
Collector-Emitter Cut-Off
Current
I
CEX
10
nA
V
CE
=60V, V
EB(off)
=3V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.3
1.0
V
V
I
C
=150mA, I
B
=15mA*
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
0.6
1.2
2.0
V
V
I
C
=150mA, I
B
=15mA*
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
35
50
75
35
100
50
40
300
I
C
=0.1mA, V
=10V*
I
C
=1mA, V
CE
=10V *
I
C
=10mA, V
CE
=10V*
I
C
=10mA, V
CE
=10V,T
amb
=-55°C*
I
C
=150mA, V
CE
=10V*
I
C
=150mA, V
CE
=1V*
I
C
=500mA, V
CE
=10V*
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
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FZT2222A
3 - 296
C
C
E
B
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