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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FZ300R06KF |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 300?一（c）|米：HL093HW048 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | FZ300R06KF |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| FZ300R10KF2 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 |
| FF100R10KF2 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 100A I(C) | M:HL093HD5.6 |
| FF150R10KF2 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| FZ300R10KN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 |
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| FZ300R12KE3G | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 300A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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