參數(shù)資料
型號： FZ2400R17KF6CB2
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 121K
代理商： FZ2400R17KF6CB2
Technische Information / Technical Information
FZ2400R17KF6C B2
IGBT-Module
IGBT-Modules
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Einschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
I
C
= 2400, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 0,6
, T
vj
= 25°C
t
d,on
0,3
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 0,6
, T
vj
= 125°C
0,3
μs
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I
C
= 2400, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 0,6
, T
vj
= 25°C
t
r
0,23
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 0,6
, T
vj
= 125°C
0,23
μs
Abschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
I
C
= 2400, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 0,6
, T
vj
= 25°C
t
d,off
1,5
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 0,6
, T
vj
= 125°C
1,5
μs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I
C
= 2400, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 0,6
, T
vj
= 25°C
t
f
0,18
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 0,6
, T
vj
= 125°C
0,19
μs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I
C
= 2400A, V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
R
G
= 0,6
, T
vj
= 125°C, L
S
= 50nH
E
on
750
mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I
C
= 2400A, V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
R
G
= 0,6
, T
vj
= 125°C, L
S
= 50nH
E
off
1060
mWs
Kurzschluverhalten
SC Data
t
P
≤
10μsec, V
GE
≤
15V
T
Vj
≤
125°C, V
CC
=1000V, V
CEmax
=V
CES
-L
sCE
·dI/dt
I
SC
9600
A
Modulinduktivitt
stray inductance module
L
sCE
10
nH
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip
pro Zweig / per arm
R
CC′+EE′
0,06
m
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
min.
typ.
max.
Durchlaspannung
forward voltage
I
F
= 2400A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
V
F
2,1
2,5
V
I
F
= 2400A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
2,1
2,5
V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
F
= 2400A, - di
F
/dt = 11000A/μsec
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
I
RM
1750
A
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
2200
A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
I
F
= 2400A, - di
F
/dt = 11000A/μsec
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
Q
r
530
μAs
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
960
μAs
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I
F
= 2400A, - di
F
/dt =11000A/μsec
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
E
rec
320
mWs
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
600
mWs
2(8)
FZ2400R17KF6C B2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZ240R17KF TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.7KV V(BR)CES | 240A I(C)
FZ24R12K4 IGBT Module
FZ300R06KL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048
FZ300R12KF TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048
FZ300R12KF2 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FZ2400R17KF6C-B2 功能描述:IGBT 模塊 1700V 2400A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ240R17KF 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.7KV V(BR)CES | 240A I(C)
FZ24-2000 制造商:POWERVOLT 制造商全稱:POWERVOLT 功能描述:CIRCUIT MOUNT, LOW PROFILE POWER TRANSFORMER
FZ24NS 制造商:International Rectifier 功能描述:
FZ24R12K4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
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