參數(shù)資料
型號(hào)： FT0814BD
英文描述： High Commutation TRIACs
中文描述： 高換向可控硅
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 158K
代理商： FT0814BD
FT08...D
SURFACE MOUNT TRIAC
Jun - 02
PART NUMBER INFORMATION
FAGOR
SCR
CURRENT
CASE
VOLTAGE
SENSITIVITY
F
T
08
08
B
D
00
FORMING
TR
PACKAGING
Electrical Characteristics
Gate Trigger Current
Off-State Leakage Current
Threshold Voltage
Dynamic Resistance
On-state Voltage
Gate Trigger Voltage
Gate Non Trigger Voltage
Holding Current
Latching Current
Critical Rate of Voltage Rise
PARAMETER
CONDITIONS
SENSITIVITY
Unit
SYMBOL
I
GT
(1)
I
DRM
V
D
= 12 V
DC
, R
L
= 30
T
j
= 25 oC
mA
mA
mA
μA
V
m
V
V
V
mA
mA
1
5
0.85
60
1.55
1.3
0.2
1.6
70
V/μs
A/ms
MAX
MAX
MAX
MAX
MAX
MAX
MAX
MIN
MAX
MAX
MAX
MIN
MIN
MIN
MIN
/I
RRM
V
TM
(2)
V
GT
V
GD
I
H
(2)
I
L
dv / dt
(2)
R
th(j-a)
Thermal Resistance
Junction-Ambient
T
j
= 25 oC
V
R
= V
RRM
,
I
T
= 11 Amp, tp = 380 μs, T
j
= 25 oC
V
D
= 12 V
DC
, R
L
= 30
, T
j
= 25 oC
V
D
= V
DRM
, R
L
= 3.3K
, T
j
= 125 oC
I
T
= 100 mA
, Gate open, T
j
= 25 oC
I
G
= 1.2 I
GT
,
T
j
= 25 oC
V
D
= 0.67 x V
DRM
, Gate open
T
j
= 125 oC
Quadrant
Q1÷Q3
Q1÷Q3
Q1÷Q3
Q1,Q3
Q2
oC/W
oC/W
(1) Minimum I
GT
is guaranted at 5% of I
GT
max.
(2) For either polarity of electrode MT2 voltage with reference to electrode MT1.
R
th(j-c)
Thermal Resistance
Junction-Case
(dI/dt)c
(2)
Critical Rate of Current Rise
(dv/dt)c= 0.1 V/μs T
j
= 125 oC
(dv/dt)c= 10 V/μs T
j
= 125 oC
without snubber Tj = 125 oC
V
to
(2)
R
d
(2)
T
j
= 125 oC
T
j
= 125 oC
T
j
= 125 oC
07
5
7
11
25
16
50
08
10
14
35
10
10
15
20
3.5
1.8
-
15
20
30
100
5.4
2.8
-
25
25
50
200
9
4.5
-
50
80
80
250
9
4.5
4.5
35
50
60
400
9
4.5
4.5
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