參數(shù)資料
型號： FS75R12KE3G
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Modules
中文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-35
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 167K
代理商： FS75R12KE3G
vorlufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FS75R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
V
GE
=15V, T
j
=125°C
i
r
i
[K/kW] : IGBT
t
i
[s] : IGBT
r
i
[K/kW] : Diode
t
i
[s] : Diode
1
32,94
2,364E-03
2,601E-02
292,44
2,601E-02
6,499E-02
243,65
6,499E-02
10,97
1,187E-05
6,63
1,187E-05
4
Z
thJC
= f (t)
3
2,364E-03
146,98
176,19
20,20
2
Transienter Wrmewiderstand
Transient thermal impedance
0,01
0,1
1
0,001
0,01
0,1
1
t [s]
Z
t
Zth : IGBT
Zth : Diode
IC,Chip
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
V
CE
[V]
I
C
IC,Chip
7 (8)
Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls
2001-08-16
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