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參數(shù)資料
| 型號： | FS25R12KF |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊| 3 - PH值大橋| 1.2KV五（巴西）國際消費(fèi)電子展|第25A一（c） |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 41K |
| 代理商： | FS25R12KF |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FS25 | Analog IC |
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| FS2UMJ3 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
| FS2VS12 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-263AB |
| FS2VS14A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FS25R12KF2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) |
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| FS25R12NT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 40A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS25R12W1T4 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 45A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS25R12W1T4_B11 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 25A 1200V |
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