型號: | FS10R12VT3 |
廠商: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | IGBT-Module IGBT-modules |
中文描述: | 16 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
封裝: | MODULE-11 |
文件頁數(shù): | 5/8頁 |
文件大小: | 643K |
代理商: | FS10R12VT3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
FS10R12YT3 | IGBT-Module IGBT-modules |
FS10SM-10 | 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
FS10SM-10 | 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
FS10SM-12 | 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
FS10SM-12 | 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
FS10R12YE3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FS10R12YT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FS10-RL-K4 | 制造商:SENSOPART 功能描述:SENSOR THRU BEAM TRANSMITTER LASER |
FS10RM18A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
FS10SM06 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |