參數(shù)資料
型號： FQY45N50F
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-247VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直| 45A條（?。﹟對247VAR
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 621K
代理商： FQY45N50F
Rev. A, May 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
F
0
50
100
150
200
0
2
4
6
8
10
12
14
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
V
DS
= 400V
※
Note : I
D
= 45 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
10
1
10
2
25
℃
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
※
Notes :
1. V
DS
= 50V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
℃
150
℃
25
℃
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
14000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
GS
= 0 V
1. V
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
30
60
I
D
, Drain Current [A]
90
120
150
180
0.1
0.2
0.3
※
Note : T
J
= 25
℃
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
R
D
]
D
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
※
Notes :
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
GS
V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
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PDF描述
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