參數(shù)資料
型號： FQU7P06
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-5.4A的P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 5.4 A, 60 V, 0.451 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 645K
代理商： FQU7P06
F
Rev. A, September 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
Charge
V
GS
-10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
-3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
as DUT
Same Type
V
DS
V
GS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
-10V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
GS
E
AS
=
LI
AS2
-1
2
BV
DSS
- V
DD
BV
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
-10V
DUT
R
G
L
I
D
t
p
-1
----
--------------------
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQD7P20 200V P-Channel MOSFET
FQU7P20 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-200V、漏電流為-5.7A的P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
FQD8P10 100V P-Channel MOSFET
FQD9N08 80V N-Channel MOSFET
FQD9N08L 80V LOGIC N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQU7P06TU 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU7P06TU_NB82048 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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FQU7P20TU 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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