參數(shù)資料
型號(hào)： FQU6N25
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 250V N-Channel MOSFET
中文描述： 4.4 A, 250 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： IPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 724K
代理商： FQU6N25
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PDF描述
FQD6N40C 400V N-Channel MOSFET
FQU6N40C 400V N-Channel MOSFET
FQD6N40 400V N-Channel MOSFET
FQU6N40 400V N-Channel MOSFET
FQD6N50C These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary planar stripe, DMOS technology
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQU6N25TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU6N40 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET
FQU6N40C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET
FQU6N40CTU 功能描述:MOSFET 400V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU6N40CTU_NBEA001 功能描述:MOSFET 400V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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