參數(shù)資料
型號: FQU5N15
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 150V N-Channel MOSFET
中文描述: 4.3 A, 150 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝: IPAK-3
文件頁數(shù): 5/9頁
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代理商: FQU5N15
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQD5N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQU5N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQD5N30 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V、漏電流為4.4A的N溝道增強型MOS場效應管)
FQU5N30 300V N-Channel MOSFET
FQD5N40 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V、漏電流為3.4A的N溝道增強型MOS場效應管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQU5N15TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU5N20 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
FQU5N20L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQU5N20LTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU5N20TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube