參數(shù)資料
型號： FQU4P25
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V、漏電流為3.1A的P溝道增強型MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 3.1 A, 250 V, 2.1 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： ROHS COMPLIANT, IPAK-3
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大小： 645K
代理商： FQU4P25
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, May 2000
Package Dimensions
6.60
±
0.20
2.30
±
0.10
0.50
±
0.10
5.34
±
0.30
0
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0
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0
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9
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0
6
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0
2
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0
9
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0
6
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0
2
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0
M
0.76
±
0.10
0.50
±
0.10
1.02
±
0.20
2.30
±
0.20
6.60
±
0.20
(5.34)
(5.04)
0.76
±
0.10
(1.50)
(2XR0.25)
0
±
0
(
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0
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0
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
(0.50)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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