參數(shù)資料
型號： FQU4N50
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 500V N-Channel MOSFET
中文描述： 2.6 A, 500 V, 2.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： ROHS COMPLIANT, IPAK-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 743K
代理商： FQU4N50
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相關PDF資料
PDF描述
FQD4P25 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V、漏電流為3.1A的P溝道增強型MOS場效應管)
FQU4P25 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V、漏電流為3.1A的P溝道增強型MOS場效應管)
FQD4P40 400V P-Channel MOSFET
FQU4P40 400V P-Channel MOSFET
FQD5N15 150V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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FQU4N50TU_WS 功能描述:MOSFET N-CH/500V 2.6A/2.7OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU4P25 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V P-Channel MOSFET
FQU4P25TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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