參數(shù)資料
型號(hào): FQT7N10TF
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 5/8頁(yè)
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描述: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
產(chǎn)品目錄繪圖: MOSFET SOT-223 Pkg
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.7A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 350 毫歐 @ 850mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V
功率 - 最大: 2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-223-3
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1604 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FQT7N10TFDKR