型號(hào): |
FQT7N10TF |
廠商: |
Fairchild Semiconductor |
文件頁(yè)數(shù): |
5/8頁(yè) |
文件大?。?/td>
| 0K |
描述: |
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: |
High Voltage Switches for Power Processing
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產(chǎn)品目錄繪圖: |
MOSFET SOT-223 Pkg
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標(biāo)準(zhǔn)包裝: |
1 |
系列: |
QFET™ |
FET 型: |
MOSFET N 通道,金屬氧化物
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FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
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漏極至源極電壓(Vdss): |
100V
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電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
1.7A
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開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
350 毫歐 @ 850mA,10V
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Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): |
4V @ 250µA
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閘電荷(Qg) @ Vgs: |
7.5nC @ 10V
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輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
250pF @ 25V
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功率 - 最大: |
2W
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安裝類型: |
表面貼裝
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封裝/外殼: |
TO-261-4,TO-261AA
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供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
SOT-223-3
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包裝: |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: |
1604 (CN2011-ZH PDF)
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其它名稱: |
FQT7N10TFDKR
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