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參數(shù)資料
| 型號： | FQT5N20 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1A I(D) | SOT-223 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 1A條（丁）|的SOT - 223 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 631K |
| 代理商： | FQT5N20 |
Rev. A, May 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
F
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
25
℃
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
※
Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
℃
150
℃
25
℃
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
GS
V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
※
Notes :
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 100V
V
DS
= 160V
V
DS
= 40V
※
Note : I
D
= 4.5 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
50
100
150
200
250
300
350
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
0.0
1.5
3.0
I
D
, Drain Current [A]
4.5
6.0
7.5
9.0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
R
D
]
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQT5N20L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1A I(D) | SOT-223 |
| FQU13N06 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251 |
| FQU13N10 | 100V N-Channel MOSFET |
| FQU26N03L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | TO-251 |
| FQY45N50F | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-247VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQT5N20L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1A I(D) | SOT-223 |
| FQT5N20LTF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQT5N20TF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQT5P10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FQT5P10TF | 功能描述:MOSFET -100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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