| 型號(hào)： |
FQT4N20LTF |
| 廠商： |
Fairchild Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
6/8頁(yè) |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223 |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： |
High Voltage Switches for Power Processing
|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| 系列： |
QFET™ |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點(diǎn)： |
標(biāo)準(zhǔn)
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
200V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
850mA
|
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
1.35 歐姆 @ 425mA，10V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
2V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
5.2nC @ 5V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
310pF @ 25V
|
| 功率 - 最大： |
2.2W
|
| 安裝類(lèi)型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
TO-261-4，TO-261AA
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
SOT-223-4
|
| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱(chēng)： |
FQT4N20LTFDKR
|