| 型號(hào)： | FQT3P20TF_SB82100 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 670MA SOT-223-4 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 200V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 670mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.7 歐姆 @ 335mA，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SOT-223-4 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | FQT3P20TF_SB82100DKR |