參數(shù)資料
型號: FQT13N06LTF
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 2/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝: 1
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.8A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 110 毫歐 @ 1.4A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V
功率 - 最大: 2.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-223-4
包裝: 標準包裝
其它名稱: FQT13N06LTFDKR