| 型號(hào)： |
FQPF6N80CT |
| 廠商： |
Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： |
10/10頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F |
| 產(chǎn)品變化通告： |
Design/Process Change Notification 26/June/2007
|
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
MOSFET TO-220F
|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
50 |
| 系列： |
QFET™ |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點(diǎn)： |
標(biāo)準(zhǔn)
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
800V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
5.5A
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
2.5 歐姆 @ 2.75A，10V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
5V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
30nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
1310pF @ 25V
|
| 功率 - 最大： |
51W
|
| 安裝類型： |
通孔
|
| 封裝/外殼： |
TO-220-3 整包
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
TO-220F
|
| 包裝： |
管件
|
| 產(chǎn)品目錄頁面： |
1608 (CN2011-ZH PDF)
|