參數(shù)資料
型號(hào)： FQPF5P20
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V P-Channel MOSFET
中文描述： 3.4 A, 200 V, 1.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大小： 655K
代理商： FQPF5P20
F
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1. May 2001
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
Charge
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
as DUT
Same Type
V
GS
V
DS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
10V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
GS
E
AS
=
LI
AS2
-1
2
BV
DSS
- V
DD
BV
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
10V
DUT
R
G
L
I
D
t
p
-1
----
--------------------
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQT5N20 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1A I(D) | SOT-223
FQT5N20L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1A I(D) | SOT-223
FQU13N06 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251
FQU13N10 100V N-Channel MOSFET
FQU26N03L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | TO-251
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FQPF630 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF65N06 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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FQPF6N15 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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