參數(shù)資料
型號： FQPF2N80
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： CONN HEADER 8POS .100 STR TIN
中文描述： 1.5 A, 800 V, 6.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 692K
代理商： FQPF2N80
F
Rev. A, August 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
Package Dimensions
(7.00)
(0.70)
MAX1.47
(30
°
)
#1
3
±
0
1
±
0
1
±
0
6
±
0
9
±
0
4
±
0
10.16
±
0.20
(1.00x45
°
)
2.54
±
0.20
0.80
±
0.10
9.40
±
0.20
2.76
±
0.20
0.35
±
0.10
3.18
±
0.10
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
0.50
+0.10
–0.05
TO-220F
相關PDF資料
PDF描述
FQPF2N90 900V N-Channel MOSFET
FQPF2P25 END PLATE; Approval Bodies:CSA, OVE, SEV, UL, VDE; Width, external:1.5mm RoHS Compliant: NA
FQPF2P40 400V P-Channel MOSFET
FQPF2N30 300V N-Channel MOSFET
FQPF2N40 400V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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FQPF2N80YDTU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 800V TO-220-3
FQPF2N90 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF2NA90 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF2P25 功能描述:MOSFET 250V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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