參數(shù)資料
型號： FQPF2N60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 600V N-Channel MOSFET
中文描述： 1.6 A, 600 V, 4.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 692K
代理商： FQPF2N60
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, August 2000
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQPF2N80 CONN HEADER 8POS .100 STR TIN
FQPF2N90 900V N-Channel MOSFET
FQPF2P25 END PLATE; Approval Bodies:CSA, OVE, SEV, UL, VDE; Width, external:1.5mm RoHS Compliant: NA
FQPF2P40 400V P-Channel MOSFET
FQPF2N30 300V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQPF2N60 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F
FQPF2N60C 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF2N60C_F105 制造商:Fairchild 功能描述:600V/2A N-CH MOSFET C-SERIES
FQPF2N70 功能描述:MOSFET 700V N-Channel Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF2N80 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*