| 型號： | FQPF11P06 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 8.6A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 175 毫歐 @ 4.3A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-220-3 整包 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TO-220F |
| 包裝： | 管件 |
| 其它名稱： | FQPF11P06-ND FQPF11P06FS |