參數(shù)資料
型號: FQP8N80C
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 7/11頁
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描述: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
產(chǎn)品培訓模塊: High Voltage Switches for Power Processing
產(chǎn)品變化通告: Design/Process Change Notification 26/June/2007
標準包裝: 50
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 8A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.55 歐姆 @ 4A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2050pF @ 25V
功率 - 最大: 178W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應商設備封裝: TO-220
包裝: 管件
其它名稱: FQP8N80C-ND
FQP8N80CFS