| 型號： |
FQP7N80C |
| 廠商： |
Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： |
5/10頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220 |
| 產(chǎn)品培訓模塊： |
High Voltage Switches for Power Processing
|
| 產(chǎn)品變化通告： |
Design/Process Change Notification 26/June/2007
|
| 標準包裝： |
50 |
| 系列： |
QFET™ |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點： |
標準
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
800V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
6.6A
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
1.9 歐姆 @ 3.3A，10V
|
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
5V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
35nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
1680pF @ 25V
|
| 功率 - 最大： |
167W
|
| 安裝類型： |
通孔
|
| 封裝/外殼： |
TO-220-3
|
| 供應商設備封裝： |
TO-220
|
| 包裝： |
管件
|