型號(hào): | FQP4N80 |
廠商: | Fairchild Semiconductor |
文件頁(yè)數(shù): | 4/8頁(yè) |
文件大?。?/td> | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220 |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: | High Voltage Switches for Power Processing |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 50 |
系列: | QFET™ |
FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 800V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 3.9A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 3.6 歐姆 @ 1.95A,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 5V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 880pF @ 25V |
功率 - 最大: | 130W |
安裝類型: | 通孔 |
封裝/外殼: | TO-220-3 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | TO-220 |
包裝: | 管件 |
其它名稱: | FQP4N80-ND FQP4N80FS |