參數(shù)資料
型號(hào): FQP3N60C
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 2/8頁(yè)
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描述: MOSFET N-CH 600V 3A TO-220
產(chǎn)品變化通告: Passivation Material Change 14/May/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.4 歐姆 @ 1.5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 565pF @ 25V
功率 - 最大: 75W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220
包裝: 管件
其它名稱: FQP3N60C-ND
FQP3N60CFS